STMicroelectronics STripFET F7 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 906-4668P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB100N6F7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB16,934.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,120.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,825 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 495 | THB67.738 |
| 500 + | THB66.694 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 906-4668P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB100N6F7
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | STripFET F7 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series STripFET F7 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.