onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 6.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS5351
- RS Stock No.:
- 903-4178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS5351
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB604.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB646.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,350 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | THB24.182 | THB604.55 |
| 625 - 1225 | THB23.578 | THB589.45 |
| 1250 + | THB23.215 | THB580.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 903-4178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS5351
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 58.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 4.9mm | |
| Width | 3.9 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 58.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 4.9mm | ||
Width 3.9 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC855N
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS5672
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS86540
