Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 272 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 900-9857P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD19536KTTT
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 13 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB3,213.99
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,439.02
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 482 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 13 - 24 | THB247.23 |
| 25 + | THB243.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 900-9857P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- CSD19536KTTT
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Texas Instruments | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 272A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | NexFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Texas Instruments | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 272A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series NexFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||