IXYS HiperFET, Q3-Class N-Channel MOSFET, 30 A, 1000 V, 24-Pin SMPD MMIX1F44N100Q3
- RS Stock No.:
- 875-2516P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F44N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
- RS Stock No.:
- 875-2516P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F44N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V | |
| Series | HiperFET, Q3-Class | |
| Package Type | SMPD | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 24 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 245 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 694 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V, +40 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Transistor Material | Si | |
| Length | 25.25mm | |
| Width | 23.25mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 264 nC @ 10 V | |
| Height | 5.7mm | |
| Forward Diode Voltage | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 30 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 1000 V | ||
Series HiperFET, Q3-Class | ||
Package Type SMPD | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 24 | ||
Maximum Drain Source Resistance 245 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 6.5V | ||
Maximum Power Dissipation 694 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -40 V, +40 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Transistor Material Si | ||
Length 25.25mm | ||
Width 23.25mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 264 nC @ 10 V | ||
Height 5.7mm | ||
Forward Diode Voltage 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
