IXYS Single GigaMOS, HiperFET 1 Type N-Channel MOSFET, 132 A, 250 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1F180N25T
- RS Stock No.:
- 875-2481P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F180N25T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 5 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB9,317.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,969.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB1,863.48 |
| 10 + | THB1,834.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 875-2481P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1F180N25T
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 132A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | GigaMOS, HiperFET | |
| Package Type | SMPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 570W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Length | 25.25mm | |
| Height | 5.7mm | |
| Width | 23.25mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 132A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series GigaMOS, HiperFET | ||
Package Type SMPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 570W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Length 25.25mm | ||
Height 5.7mm | ||
Width 23.25mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS