IXYS GigaMOS, HiperFET N-Channel MOSFET, 600 A, 40 V Enhancement, 24-Pin SMPD MMIX1T600N04T2
- RS Stock No.:
- 875-2475P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1T600N04T2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 5 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB7,517.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,043.45
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 93 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 5 - 9 | THB1,503.45 |
| 10 + | THB1,480.33 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 875-2475P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MMIX1T600N04T2
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 600A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | GigaMOS, HiperFET | |
| Package Type | SMPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 24 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 590nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 830W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 25.25mm | |
| Width | 23.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 600A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series GigaMOS, HiperFET | ||
Package Type SMPD | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 24 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 590nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 830W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 25.25mm | ||
Width 23.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS