Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRPBF
- RS Stock No.:
- 830-3379
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR3410TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 1%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB401.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB430.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,660 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 480 | THB20.09 | THB401.80 | - |
| 500 - 980 | THB19.689 | THB393.78 | 1% |
| 1000 + | THB19.295 | THB385.90 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 830-3379
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-480
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLR3410TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 155mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -16V, +16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.39mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 155mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.39mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF530NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF530NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
