STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW33N60M2
- RS Stock No.:
- 829-1504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW33N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB204.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB218.34
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB204.06 |
| 10 - 49 | THB201.89 |
| 50 - 99 | THB199.88 |
| 100 - 249 | THB197.89 |
| 250 + | THB195.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-1504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW33N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MDmesh M2 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 20.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Length | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MDmesh M2 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 20.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Length 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW56N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW28N60M2
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW40N65M2