Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK12P60W,RVQ(S
- RS Stock No.:
- 827-6126
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK12P60W,RVQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB375.972
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB402.292
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,552 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | THB93.993 | THB375.97 |
| 20 - 76 | THB91.645 | THB366.58 |
| 80 - 196 | THB89.358 | THB357.43 |
| 200 - 396 | THB87.128 | THB348.51 |
| 400 + | THB84.948 | THB339.79 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-6126
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK12P60W,RVQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 2.3mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.6mm | ||
Height 2.3mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS5VX(J
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementRQ(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
