Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 50 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260MPBF
- RS Stock No.:
- 827-4013
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP260MPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB32.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB639.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB684.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 5 | THB127.91 | THB639.55 | - |
| 10 - 10 | THB124.71 | THB623.55 | THB32.00 |
| 15 + | THB122.792 | THB613.96 | THB76.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-4013
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP260MPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 234nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.2mm | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 234nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.2mm | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260MPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP260NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
