Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP250MPBF

RS Stock No.:: 827-4004
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP250MPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP250MPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 10 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB504.19

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB539.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

160 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
5 - 5	THB100.838	THB504.19	-
10 - 10	THB98.312	THB491.56	2%
15 +	THB96.80	THB484.00	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-4004
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP250MPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	75mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	214W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	123nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	21.1mm
	Length	16.13mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.2mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 214W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 123nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 21.1mm
	Length 16.13mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.2mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 214W Maximum Power Dissipation - IRFP250MPBF

This N-channel MOSFET is designed for high performance and efficiency across a variety of applications. It offers a maximum continuous drain current of 30A and a drain-source voltage rating of 200V, making it suitable for tasks in the automation and electronics sectors. Its design ensures effective thermal performance, which enhances its use in electrical and mechanical industries.

Features & Benefits

• Dynamic dv/dt rating ensures stability during operation

• Enhanced thermal capabilities, with an operating temperature of up to 175°C

• Low on-resistance reduces power losses

• Fully avalanche-rated, providing over-voltage protection

• Simple drive requirements for easier integration into designs

Applications

• Suitable for high-frequency switching

• Ideal for power supplies and converters

• Applicable in motor control systems and industrial drives

• Utilised in renewable energy systems, such as solar inverters

How is thermal performance managed in demanding environments?

The thermal resistance characteristics are designed for efficient heat dissipation, allowing operation from -55°C to +175°C.

What are the implications of the low Rds(on)?

The low on-resistance results in lower power dissipation during conduction, enhancing overall system efficiency and reducing thermal stress on components.

Can this device be used for parallel configurations?

Yes, the design facilitates paralleling, increasing current capacity and improving thermal performance in high-power applications.

What should be considered when selecting the gate drive voltage?

A gate drive voltage between 2V and 4V is optimal for ensuring sufficient switching performance and preventing undesired operation.

What measures are in place for over-voltage protection?

The MOSFET is fully avalanche-rated, safeguarding against transient over-voltages and ensuring reliable operation in fluctuating conditions.