Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP320N20N3GXKSA1
- RS Stock No.:
- 823-5642
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP320N20N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB230.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB246.58
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 14 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 294 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 12 | THB115.22 | THB230.44 |
| 14 - 24 | THB112.335 | THB224.67 |
| 26 + | THB110.615 | THB221.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 823-5642
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP320N20N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 15.95mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 4.57 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 15.95mm | ||
Length 10.36mm | ||
Width 4.57 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 34A Maximum Continuous Drain Current, 136W Maximum Power Dissipation - IPP320N20N3GXKSA1
This MOSFET offers high performance for various electronic applications. With continuous drain current capability of up to 34A and a drain-source voltage rating of 200V, it serves as an efficient power solution. The enhancement mode operation ensures dependable performance in circuits requiring switching and synchronous rectification.
Features & Benefits
• N-channel design for effective power conversion
• Low on-resistance reduces energy loss
• High operational temperature tolerance for extreme conditions
• Compatible with high-frequency switching applications
• Pb-free and RoHS compliant for environmentally friendly use
• Halogen-free materials enhance safety and compliance
Applications
• Used in power supplies for industrial automation
• Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters
• Applicable in electric vehicle charging systems
• Ideal for battery management systems in consumer electronics
• Utilised in renewable energy inverters for efficient power transfer
What is the maximum temperature range for operation?
The component operates effectively between -55°C and +175°C, making it suitable for diverse environmental conditions.
Can it manage high drain currents?
Yes, it supports continuous drain currents of up to 34A, suitable for high power applications.
What advantages does the low RDS(on) feature provide?
The low on-resistance significantly lowers energy losses during operation, enhancing efficiency in high-power switching applications.
Is it suitable for automotive applications?
With its high temperature rating and low on-resistance, it is appropriate for automotive applications, providing performance under challenging conditions.
How would I ensure proper heat dissipation during installation?
To achieve effective thermal management, ensure the MOSFET is mounted on a heat sink or a PCB with sufficient copper area to aid in dissipating heat generated during operation.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB320N20N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP110N20N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON
