Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB7540PBF
- RS Stock No.:
- 820-8849
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB7540PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB205.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB219.445
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 45 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 505 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB41.018 | THB205.09 |
| 15 - 20 | THB39.994 | THB199.97 |
| 25 + | THB39.38 | THB196.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 820-8849
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB7540PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | StrongIRFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 88nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 16.51mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series StrongIRFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 88nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Height 16.51mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Automotive Standard No | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness Ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB7530PBF
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon StrongIRFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263