Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3

RS Stock No.:: 815-2698
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHFBC30AS-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB624.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB668.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB62.444	THB624.44
20 - 20	THB60.883	THB608.83
30 +	THB59.947	THB599.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 815-2698
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHFBC30AS-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	SiHFBC30AS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Width	9.65 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series SiHFBC30AS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Width 9.65 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHFBC30AS-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง