Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB250.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB268.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 340 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 2,420 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB12.54THB250.80
760 - 1480THB12.227THB244.54
1500 +THB12.039THB240.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3132
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2366DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

5.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

Si2366DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.1W

Forward Voltage Vf

0.85V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Width

1.4mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Si2366DS Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 5.8A Maximum Continuous Drain Current - SI2366DS-T1-GE3


This MOSFET is a low-voltage N-channel semiconductor device designed for surface-mounted power switching in Compact electronic assemblies. It operates within a moderate voltage range and supports temperature extremes, making it suitable for dense board-level designs where small footprint and controlled switching behaviour are required.

Features and Benefits:


• 42mΩ Rds(on) yields low conduction losses during switching
• 5.8A continuous drain current supports moderate load currents
• 30V drain-source rating enables low-voltage power rails
• 6.4nC typical gate charge permits fast gate transitions
• 2.1W power dissipation allows for sustained thermal loading
• 150°C maximum operating temperature endures elevated environments

Applications


• Suitable for DC step-down converters in automation equipment
• Ideal for load switching in control and Interface modules
• Used for motor driver stages in small electromechanical systems
• Can be used for battery protection and power-path management
• Used with Compact consumer power supplies requiring surface-mount parts

What mounting style does it require for PCB assembly?


It is supplied for surface-mount placement in a three-pin package compatible with standard SOT-23 footprints.

What gate voltage endurance should designers expect?


The device tolerates gate-source voltages up to 20V, so gate drive must remain within that limit.

How wide an ambient temperature range can it operate in?


It is specified to operate down to -55°C and up to 150°C junction temperature for broad thermal margins.

What mechanical package size considerations are there for layout?


The package measures approximately 3.04mm length, 1.4mm width and 1.02mm height for footprint and clearance planning.

Are there environmental or regulatory characteristics to note?


The component conforms to RoHS requirements for reduced hazardous substances.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง