Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET, 5.8 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2366DS-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 812-3132
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2366DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB250.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB268.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 340 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 2,420 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB12.54 | THB250.80 |
| 760 - 1480 | THB12.227 | THB244.54 |
| 1500 + | THB12.039 | THB240.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 812-3132
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI2366DS-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | Si2366DS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 42mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Forward Voltage Vf | 0.85V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Width | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series Si2366DS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 42mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Forward Voltage Vf 0.85V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Width 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si2366DS Series MOSFET, 30V Maximum Drain Source Voltage, 5.8A Maximum Continuous Drain Current - SI2366DS-T1-GE3
This MOSFET is a low-voltage N-channel semiconductor device designed for surface-mounted power switching in Compact electronic assemblies. It operates within a moderate voltage range and supports temperature extremes, making it suitable for dense board-level designs where small footprint and controlled switching behaviour are required.
Features and Benefits:
• 42mΩ Rds(on) yields low conduction losses during switching
• 5.8A continuous drain current supports moderate load currents
• 30V drain-source rating enables low-voltage power rails
• 6.4nC typical gate charge permits fast gate transitions
• 2.1W power dissipation allows for sustained thermal loading
• 150°C maximum operating temperature endures elevated environments
• 5.8A continuous drain current supports moderate load currents
• 30V drain-source rating enables low-voltage power rails
• 6.4nC typical gate charge permits fast gate transitions
• 2.1W power dissipation allows for sustained thermal loading
• 150°C maximum operating temperature endures elevated environments
Applications
• Suitable for DC step-down converters in automation equipment
• Ideal for load switching in control and Interface modules
• Used for motor driver stages in small electromechanical systems
• Can be used for battery protection and power-path management
• Used with Compact consumer power supplies requiring surface-mount parts
• Ideal for load switching in control and Interface modules
• Used for motor driver stages in small electromechanical systems
• Can be used for battery protection and power-path management
• Used with Compact consumer power supplies requiring surface-mount parts
What mounting style does it require for PCB assembly?
It is supplied for surface-mount placement in a three-pin package compatible with standard SOT-23 footprints.
What gate voltage endurance should designers expect?
The device tolerates gate-source voltages up to 20V, so gate drive must remain within that limit.
How wide an ambient temperature range can it operate in?
It is specified to operate down to -55°C and up to 150°C junction temperature for broad thermal margins.
What mechanical package size considerations are there for layout?
The package measures approximately 3.04mm length, 1.4mm width and 1.02mm height for footprint and clearance planning.
Are there environmental or regulatory characteristics to note?
The component conforms to RoHS requirements for reduced hazardous substances.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Si2366DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2318CDS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2308BDS Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2304DDS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
