onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23 FDC642P
- RS Stock No.:
- 809-0865P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC642P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 760 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB9,743.96
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,425.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,860 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 760 - 1480 | THB12.821 |
| 1500 + | THB12.624 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 809-0865P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDC642P
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12V, +12V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Width | 1.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Width 1.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.