onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 35 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 HUF75321P3

RS Stock No.:: 807-6673
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: HUF75321P3
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 35 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 HUF75321P3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB348.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB373.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 10	THB34.88	THB348.80	-
20 - 20	THB34.007	THB340.07	2%
30 +	THB33.484	THB334.84	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 807-6673
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: HUF75321P3
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	UltraFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	34mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Forward Voltage Vf	1.25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	93W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	16.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series UltraFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Forward Voltage Vf 1.25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 93W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 16.3mm
	Automotive Standard No

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable Benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.

Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UltraFET N-Channel MOSFET, 35 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 HUF75321P3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง