onsemi UniFET N-Channel MOSFET, 44 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 806-3438P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDH44N50
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,607.68
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,790.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 28 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB325.96 |
| 15 + | THB320.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 806-3438P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDH44N50
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 44A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | UniFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 750W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.82mm | |
| Width | 4.82mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 44A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series UniFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 750W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.82mm | ||
Width 4.82mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.