IXYS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB132N50P3

RS Stock No.:: 802-4348
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-300
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFB132N50P3
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB132N50P3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB788.52

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB843.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 52 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 6	THB788.52
7 - 12	THB768.81
13 +	THB756.97

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 802-4348
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-300
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFB132N50P3
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	PLUS264
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	39mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.89kW
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	250nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	20.29mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.31 mm
	Height	26.59mm
	Distrelec Product Id	30253300
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 132A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type PLUS264
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.89kW
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 250nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 20.29mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.31 mm
	Height 26.59mm
	Distrelec Product Id 30253300
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 132 A, 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB132N50P3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง