IXYS Type N-Channel MOSFET, 32 A, 800 V Enhancement, 3-Pin PLUS247 IXFX32N80Q3
- RS Stock No.:
- 801-1496
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFX32N80Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,006.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,077.36
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB1,006.88 |
| 8 - 14 | THB981.72 |
| 15 + | THB966.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 801-1496
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 302-53-407
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFX32N80Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | PLUS247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 270mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1kW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 21.34mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Distrelec Product Id | 30253407 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type PLUS247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1kW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 140nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 21.34mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Length 16.13mm | ||
Distrelec Product Id 30253407 | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin PLUS247 IXFX32N100Q3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 3-Pin PLUS247 IXFX150N30P3