IXYS Single HiperFET, Q3-Class 1 N-Channel MOSFET, 15 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH15N100Q3
- RS Stock No.:
- 801-1389P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH15N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 801-1389P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFH15N100Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Series | HiperFET, Q3-Class | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 15 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 1 kV | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 3 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Automotive Standard | No | |
| Forward Voltage (Vf) | 1.4 V | |
| Height | 16.26 mm | |
| Length | 16.26 mm | |
| Maximum Drain Source Resistance (Rds) | 1.05 Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C | |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 690 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mount Type | Through Hole, Through Hole | |
| Standards/Approvals | No | |
| Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs | 64 nC | |
| Width | 5.3 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Transistor Configuration Single | ||
Series HiperFET, Q3-Class | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 15 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 1 kV | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 3 | ||
Package Type TO-247 | ||
Automotive Standard No | ||
Forward Voltage (Vf) 1.4 V | ||
Height 16.26 mm | ||
Length 16.26 mm | ||
Maximum Drain Source Resistance (Rds) 1.05 Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150 °C | ||
Maximum Power Dissipation (Pd) 690 W | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Mount Type Through Hole, Through Hole | ||
Standards/Approvals No | ||
Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 64 nC | ||
Width 5.3 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS