IXYS Single HiperFET, Q3-Class 1 N-Channel MOSFET, 82 A, 600 V Enhancement, 3-Pin PLUS264 IXFB82N60Q3
- RS Stock No.:
- 801-1370P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFB82N60Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 7 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB11,613.91
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,426.89
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 7 - 12 | THB1,659.13 |
| 13 + | THB1,633.61 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 801-1370P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFB82N60Q3
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 82A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PLUS264 | |
| Series | HiperFET, Q3-Class | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 75mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30V, +30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.56kW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Height | 26.59mm | |
| Width | 5.31mm | |
| Length | 20.29mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 82A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PLUS264 | ||
Series HiperFET, Q3-Class | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30V, +30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.56kW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Height 26.59mm | ||
Width 5.31mm | ||
Length 20.29mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS