STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB60NF06LT4
- RS Stock No.:
- 795-6944P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB60NF06LT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB23,979.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,658.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 250 - 495 | THB95.918 |
| 500 + | THB93.998 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 795-6944P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB60NF06LT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | STripFET II | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -15V, +15V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.35mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series STripFET II | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -15V, +15V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.35mm | ||
Length 10.4mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.