STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 792-5717P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD26P3LLH6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 630 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB19,116.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,454.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,420 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 630 - 1240 | THB30.344 |
| 1250 + | THB29.878 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-5717P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD26P3LLH6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | STripFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series STripFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.4mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.