Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET, 320 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSS138PS,115
- RS Stock No.:
- 792-0901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138PS,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 40 ชิ้น)*
THB269.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 360 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 40 - 720 | THB6.727 | THB269.08 |
| 760 - 1480 | THB6.559 | THB262.36 |
| 1520 + | THB6.458 | THB258.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 792-0901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSS138PS,115
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 320mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | Trench MOSFET | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.72nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320mW | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Width | 1.35 mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 320mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series Trench MOSFET | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.72nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320mW | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Width 1.35 mm | ||
Height 1mm | ||
Length 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement115
