onsemi Single 1 N-Channel MOSFET, 79 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8FL NTMFS4936NT1G
- RS Stock No.:
- 780-4720P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS4936NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 20 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*
THB457.64
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB489.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 20 - 40 | THB22.882 |
| 50 - 90 | THB22.31 |
| 100 - 190 | THB21.752 |
| 200 + | THB21.209 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 780-4720P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS4936NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 79A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8FL | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Width | 6.1mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 79A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8FL | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Width 6.1mm | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5.1mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||