onsemi Single SuperFET II 1 N-Channel MOSFET, 4.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK (TO-251) FCU900N60Z

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ เนื่องจากผู้ผลิตกำลังจะยกเลิกการผลิตสินค้านี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
774-1124P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FCU900N60Z
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SuperFET II

Package Type

IPAK (TO-251)

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-30V, +30V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.8mm

Width

2.5mm

Height

6.3mm

Number of Elements per Chip

1

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.

Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.