Renesas N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 2SK3433-AZ
- RS Stock No.:
- 772-5428P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK3433-AZ
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 25 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*
THB793.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB849.375
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 25 - 95 | THB31.752 |
| 100 - 245 | THB31.06 |
| 250 - 495 | THB30.368 |
| 500 + | THB29.762 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 772-5428P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK3433-AZ
- ผู้ผลิต:
- Renesas Electronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Renesas Electronics | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 47 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Length | 10mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Width | 8.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Height | 4.8mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Renesas Electronics | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 80 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 60 V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance 41 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V | ||
Maximum Power Dissipation 47 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Length 10mm | ||
Transistor Material Si | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Width 8.5mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 30 nC @ 10 V | ||
Height 4.8mm | ||
