MPN

Renesas P-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 4-Pin IPAK 2SJ601-AZ

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่าย

RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Renesas Electronics
	Channel Type	P
	Maximum Continuous Drain Current	120 A
	Maximum Drain Source Voltage	60 V
	Package Type	IPAK (TO-251)
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance	46 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
	Maximum Power Dissipation	65 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Number of Elements per Chip	1
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Transistor Material	Si
	Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
	Width	7mm
	Length	6.5mm
	Height	2.3mm

	เลือกทั้งหมด
	Brand Renesas Electronics
	Channel Type P
	Maximum Continuous Drain Current 120 A
	Maximum Drain Source Voltage 60 V
	Package Type IPAK (TO-251)
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance 46 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
	Maximum Power Dissipation 65 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
	Number of Elements per Chip 1
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Transistor Material Si
	Typical Gate Charge @ Vgs 63 nC @ 10 V
	Width 7mm
	Length 6.5mm
	Height 2.3mm