onsemi NDT451AN N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 761-3978P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NDT451AN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 1000 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB50,348.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB53,872.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,245 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1000 - 1995 | THB50.348 |
| 2000 + | THB49.574 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 761-3978P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NDT451AN
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | NDT451AN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 35mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Height | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series NDT451AN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Width 3.7mm | ||
Height 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.