STMicroelectronics Single FDmesh 1 N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW55NM60ND
- RS Stock No.:
- 761-0336P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW55NM60ND
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 761-0336P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW55NM60ND
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | FDmesh | |
| Mount Type | Through Hole, Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 190nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -25V, +25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 20.15mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series FDmesh | ||
Mount Type Through Hole, Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -25V, +25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.75mm | ||
Height 20.15mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||