STMicroelectronics FDmesh N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW34NM60ND
- RS Stock No.:
- 760-9792
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW34NM60ND
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB390.83
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB418.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
กำลังจะเลิกผลิต
- 406 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB390.83 |
| 8 - 14 | THB381.04 |
| 15 + | THB375.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 760-9792
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW34NM60ND
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | FDmesh | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 20.15mm | |
| Width | 5.15mm | |
| Length | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series FDmesh | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80.4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 20.15mm | ||
Width 5.15mm | ||
Length 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW20NM60FD
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP20NM60FD
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60ND
- STMicroelectronics FDmesh Type N-Channel FDmesh II Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP