onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin MicroFET
- RS Stock No.:
- 759-9576P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDME1024NZT
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย 1250 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB40,480.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB43,313.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1250 - 2495 | THB32.384 |
| 2500 + | THB31.884 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 759-9576P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDME1024NZT
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | MicroFET | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.6mm | |
| Height | 500μm | |
| Width | 1.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type MicroFET | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.6mm | ||
Height 500μm | ||
Width 1.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
