Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPP11N80C3XKSA1
- RS Stock No.:
- 753-3190
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP11N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB101.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB108.44
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 36 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 451 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 12 | THB101.35 |
| 13 - 24 | THB98.82 |
| 25 + | THB97.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 753-3190
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SPP11N80C3XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | CoolMOS C3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.57 mm | |
| Height | 9.45mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series CoolMOS C3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.57 mm | ||
Height 9.45mm | ||
Length 10.36mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SPW11N80C3FKSA1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel Power Transistor 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel Power Transistor 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP SPA11N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220