Taiwan Semiconductor Type P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 743-6030P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM2307CX RFG
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB12,659.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB13,545.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- เพิ่มอีก 19,200 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1475 | THB16.879 |
| 1500 + | THB16.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 743-6030P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TSM2307CX RFG
- ผู้ผลิต:
- Taiwan Semiconductor
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Taiwan Semiconductor | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 140mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Taiwan Semiconductor | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.1mm | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||