Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 260 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB3813PBF
- RS Stock No.:
- 725-9313
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLB3813PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 14 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB163.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB174.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 24 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 16 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 04 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2 - 12 | THB81.72 | THB163.44 | - |
| 14 - 24 | THB79.655 | THB159.31 | 2% |
| 26 + | THB78.44 | THB156.88 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 725-9313
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLB3813PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 260A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 57nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 260A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 57nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Width 4.83mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V, 7-Pin TO-263 IRFS3107TRL7PP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLZ34NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8721PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB8748PBF
