IXYS HiperFET, Q-Class N-Channel MOSFET, 27 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-264 IXFK27N80Q
- RS Stock No.:
- 711-5382P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFK27N80Q
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 7 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB8,167.11
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,738.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 7 - 12 | THB1,166.73 |
| 13 + | THB1,148.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 711-5382P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IXFK27N80Q
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-264 | |
| Series | HiperFET, Q-Class | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 320mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 26.16mm | |
| Length | 19.96mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-264 | ||
Series HiperFET, Q-Class | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 26.16mm | ||
Length 19.96mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS