STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 687-5223P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW42N65M5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย 8 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,196.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,350.08
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 580 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 8 - 14 | THB274.54 |
| 15 + | THB270.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-5223P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STW42N65M5
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | MDmesh M5 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 79mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.75mm | |
| Height | 20.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series MDmesh M5 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 79mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.75mm | ||
Height 20.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.