STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 35 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 687-5169P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD30NF06LT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 630 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB23,279.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB24,909.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 630 - 1240 | THB36.952 |
| 1250 + | THB36.383 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 687-5169P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD30NF06LT4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | STripFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series STripFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.4mm | ||
Length 6.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.2mm | ||
Automotive Standard No | ||