onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB FDP33N25

RS Stock No.:: 671-4819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP33N25
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB FDP33N25

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB291.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB312.215

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

975 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB58.358	THB291.79
15 - 20	THB56.902	THB284.51
25 +	THB56.024	THB280.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-4819
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP33N25
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	TO-220AB
	Series	UniFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.094Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36.8nC
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	235W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83 mm
	Height	9.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type TO-220AB
	Series UniFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.094Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36.8nC
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 235W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.83 mm
	Height 9.4mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.

UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB FDP33N25

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง