onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

RS Stock No.:: 671-4733P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 2N7000
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi 2N7000 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-92

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 2500 ชิ้น (จัดส่งในถุง)*

THB34,302.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB36,702.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

7,460 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
2500 - 12480	THB13.721
12500 +	THB11.292

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-4733P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: 2N7000
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-92
	Series	2N7000
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	400mW
	Forward Voltage Vf	0.88V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.19 mm
	Length	5.2mm
	Height	5.33mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	304-43-722

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 200mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-92
	Series 2N7000
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.8nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 400mW
	Forward Voltage Vf 0.88V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.19 mm
	Length 5.2mm
	Height 5.33mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 304-43-722

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.