Fairchild QFET N-Channel MOSFET Transistor, 7.8 A, 200 V, 3-Pin DPAK FQD10N20CTM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 25 ชิ้น (จัดส่งในแบบแถบต่อเนื่อง)*

THB526.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB562.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
25 - 95THB21.04
100 - 245THB14.256
250 - 495THB13.886
500 +THB13.674

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
671-0936P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FQD10N20CTM
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Fairchild Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

7.8 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

DPAK

Series

QFET

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Length

6.6mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.3mm

QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.


MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง