onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 33 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB34P10TM
- RS Stock No.:
- 671-0891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQB34P10TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB101.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB108.18
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 2,767 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 199 | THB101.10 |
| 200 - 399 | THB98.56 |
| 400 + | THB97.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-0891
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQB34P10TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | QFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.75W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -4V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series QFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.75W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -4V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB22P10TM
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB12P20TM
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB27P06TM
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB47P06TM-AM002