onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB27P06TM

RS Stock No.:: 671-0873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQB27P06TM
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 FQB27P06TM

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB445.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB476.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 195	THB89.07	THB445.35
200 - 395	THB86.842	THB434.21
400 +	THB85.508	THB427.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0873
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FQB27P06TM
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	QFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Power Dissipation Pd	3.75W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-4V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	9.65 mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series QFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Power Dissipation Pd 3.75W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -4V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 9.65 mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.