onsemi QFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 671-0873P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQB27P06TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB18,212.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB19,487.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 90 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 395 | THB91.064 |
| 400 + | THB89.666 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-0873P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FQB27P06TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | QFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -25V, +25V | |
| Forward Voltage Vf | -4V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.75W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series QFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -25V, +25V | ||
Forward Voltage Vf -4V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.75W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.
Features and Benefits:
• Voltage controlled P-Channel small signal switch
• High-Density cell design
• High saturation current
• Superior switching
• Great rugged and reliable performance
• DMOS technology
Applications:
• Load Switching
• DC/DC converter
• Battery protection
• Power management control
• DC motor control
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.