onsemi Isolated PowerTrench 2 N-Channel MOSFET, 5.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6930B
- RS Stock No.:
- 671-0655P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6930B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 671-0655P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6930B
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Series | PowerTrench | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 5.5 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 30 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 8 | |
| Package Type | SOIC | |
| Automotive Standard | No | |
| Forward Voltage (Vf) | 1.2 V | |
| Height | 1.5 mm | |
| Length | 5 mm | |
| Maximum Drain Source Resistance (Rds) | 62 mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C | |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 2 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mount Type | Surface | |
| Standards/Approvals | No | |
| Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.8 nC | |
| Width | 4 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Series PowerTrench | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 5.5 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 30 V | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 8 | ||
Package Type SOIC | ||
Automotive Standard No | ||
Forward Voltage (Vf) 1.2 V | ||
Height 1.5 mm | ||
Length 5 mm | ||
Maximum Drain Source Resistance (Rds) 62 mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150 °C | ||
Maximum Power Dissipation (Pd) 2 W | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Mount Type Surface | ||
Standards/Approvals No | ||
Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 3.8 nC | ||
Width 4 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.