onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 12.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6680A
- RS Stock No.:
- 671-0605
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6680A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB210.19
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB224.905
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- เพิ่มอีก 35 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 14 กันยายน 2569
- เพิ่มอีก 1,845 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 21 กันยายน 2569
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB42.038 | THB210.19 |
| 625 - 1245 | THB40.984 | THB204.92 |
| 1250 + | THB40.356 | THB201.78 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-0605
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6680A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC