onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 13 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6670A
- RS Stock No.:
- 671-0582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6670A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB171.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB183.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB34.276 | THB171.38 |
| 625 - 1245 | THB33.422 | THB167.11 |
| 1250 + | THB32.906 | THB164.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-0582
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDS6670A
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.5mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6679AZ
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC