onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN352AP

RS Stock No.:: 671-0447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN352AP
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN352AP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB127.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB136.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

23,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB12.739	THB127.39
750 - 1490	THB12.421	THB124.21
1500 +	THB12.231	THB122.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-0447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDN352AP
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	2.92mm
	Height	0.94mm
	Width	1.4 mm
	Distrelec Product Id	304-33-641
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 2.92mm
	Height 0.94mm
	Width 1.4 mm
	Distrelec Product Id 304-33-641
	Automotive Standard No

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 1.3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN352AP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง