onsemi SuperFET N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 671-0330P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCB20N60TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 200 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB44,308.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47,410.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
เนื่องจากสินค้าขาดตลาด จะสามารถกำหนดสต็อกได้เมื่อสินค้าพร้อมจำหน่าย
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 200 - 399 | THB221.54 |
| 400 + | THB218.14 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 671-0330P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FCB20N60TM
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SuperFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -30, +30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.65mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 9.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SuperFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -30, +30V | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.65mm | ||
Height 4.83mm | ||
Length 9.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an Advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.